Filmes finos de NbN e Nb-Si-N, contendo 2,0; 5,0 e 10,0 at.% de Si, foram depositados via magnetron sputtering reativo, com o objetivo de investigar a possível formação de solução sólida ou duas fases, bem como as propriedades oxidativas após tratamento a 300, 500 e 700 °C. As análises por RBS confirmaram os teores de Si obtidos. A análise microestrutural, realizada por meio de imagens de MEV-FEG da seção transversal, mostrou que os revestimentos com adição de até 5,0 at.% de Si apresentaram microestrutura de grãos colunares, enquanto a amostra contendo 10,0 at.% exibiu uma microestrutura amorfa e densa. Além disso, análises estruturais de GIXRD e XPS indicaram que os filmes de Nb-Si-N não apresentaram formação de solução sólida, nem mesmo para a amostra com 2,0 at.% de Si adicionado, mas sim uma estrutura composta pelas fases NbN e Si3N4, a qual provocou deslocamentos nos picos de difração e amorfização da estrutura para os teores de 5,0 e 10,0 at.% de Si, respectivamente. Por fim, as análises de GIXRD e MEV-FEG da seção transversal e da superfície das amostras oxidadas mostraram que nenhuma amostra sofreu oxidação a 300 °C. A 500 °C, observou-se uma melhora gradual na resistência à oxidação com o aumento da concentração de Si. Entretanto, a 700 °C, as amostras contendo até 5,0 at.% de Si oxidaram completamente, formando Nb2O5, enquanto a amostra com 10,0 at.% de Si apresentou o melhor resultado frente à oxidação, não ocorrendo a oxidação total e sendo observada uma redução de 32% na taxa de oxidação.